Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors

1. время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения

 

время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения
время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД
Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90 % от его максимального значения.
[ГОСТ 18177-81]

Тематики

• детекторы ионизирующих излучений

Обобщающие термины

• основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Синонимы

• время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД

EN

• rise time of a semi-conductor detector

DE

• Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors

FR

• temps de montée d'un détecteur semi-conducteur